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申請（專利）號：CN200810050587.1申請日：2008.04.10

公開（公告）號：CN101257064公開（公告）日：2008.09.03

主分類號：H01L31/18(2006.01)I范疇分類：

分類號：H01L31/18(2006.01)I；C23C14/35(2006.01)I；C23C14/54(2006.01)I

優(yōu)先權(quán)：

申請（專利權(quán)）人：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所

地址：130033吉林省長春市東南湖大路16號

國省代碼：吉林；22

發(fā)明（設(shè)計）人：蔣大勇；張吉英；申德振；姚斌；趙東旭；張振中

國際申請：

國際公布：

進入國家日期：

專利代理機構(gòu)：長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所

代理人：王淑秋

分案申請?zhí)?/SPAN>：

頒證日：

摘要：

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種MgZnO紫外光電探測器的制備方法，通過交流磁控濺射制備不同帶隙寬度(3.37～4.13eV)的高質(zhì)量MgZnO合金薄膜，并在此基礎(chǔ)上通過真空熱蒸發(fā)和濕法刻蝕的方法制備MSM結(jié)構(gòu)電極的MgZnO紫外光電探測器。采用本發(fā)明制備的MgZnO紫外光電探測器具備高的紫外可見比和較低的暗電流等優(yōu)點，適用于太陽紫外線輻射監(jiān)控、火焰探測、導(dǎo)彈預(yù)警等。

主權(quán)項：

一種MgZnO紫外光電探測器的制備方法，其特征在于包括下列步驟：

a.使用交流磁控濺射臺，在襯底溫度為300～600℃條件下，對Mg摩爾濃度為5％～40％的MgZnO合金靶進行濺射，制備出MgZnO合金薄膜；

b.通過真空熱蒸發(fā)的方法，在已制備的MgZnO合金薄膜上蒸鍍Au膜。

c.制備金屬—半導(dǎo)體—金屬結(jié)構(gòu)的電極。http://www.jggj69.com/