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申請(qǐng)（專(zhuān)利）號(hào)：CN200810050587.1申請(qǐng)日：2008.04.10

公開(kāi)（公告）號(hào)：CN101257064公開(kāi)（公告）日：2008.09.03

主分類(lèi)號(hào)：H01L31/18(2006.01)I范疇分類(lèi)：

分類(lèi)號(hào)：H01L31/18(2006.01)I；C23C14/35(2006.01)I；C23C14/54(2006.01)I

優(yōu)先權(quán)：

申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所

地址：130033吉林省長(zhǎng)春市東南湖大路16號(hào)

國(guó)省代碼：吉林；22

發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：蔣大勇；張吉英；申德振；姚斌；趙東旭；張振中

國(guó)際申請(qǐng)：

國(guó)際公布：

進(jìn)入國(guó)家日期：

專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu)：長(zhǎng)春菁華專(zhuān)利商標(biāo)代理事務(wù)所

代理人：王淑秋

分案申請(qǐng)?zhí)?/SPAN>：

頒證日：

摘要：

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種MgZnO紫外光電探測(cè)器的制備方法，通過(guò)交流磁控濺射制備不同帶隙寬度(3.37～4.13eV)的高質(zhì)量MgZnO合金薄膜，并在此基礎(chǔ)上通過(guò)真空熱蒸發(fā)和濕法刻蝕的方法制備MSM結(jié)構(gòu)電極的MgZnO紫外光電探測(cè)器。采用本發(fā)明制備的MgZnO紫外光電探測(cè)器具備高的紫外可見(jiàn)比和較低的暗電流等優(yōu)點(diǎn)，適用于太陽(yáng)紫外線(xiàn)輻射監(jiān)控、火焰探測(cè)、導(dǎo)彈預(yù)警等。

主權(quán)項(xiàng)：

一種MgZnO紫外光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于包括下列步驟：

a.使用交流磁控濺射臺(tái)，在襯底溫度為300～600℃條件下，對(duì)Mg摩爾濃度為5％～40％的MgZnO合金靶進(jìn)行濺射，制備出MgZnO合金薄膜；

b.通過(guò)真空熱蒸發(fā)的方法，在已制備的MgZnO合金薄膜上蒸鍍Au膜。

c.制備金屬—半導(dǎo)體—金屬結(jié)構(gòu)的電極。http://www.jggj69.com/